Volframi ruiskutuskohde
2. Lista: Volfram -tuote
3. Materiaali: volframi
4. Puhtaus: suurempi tai yhtä suuri kuin 99,95%
5. tiheys: 19,3 g\/cm³
6. Muoto: Tason kohde, pyörivä kohde, ruiskutuskohde, neliökohde, putkikohde, räätälöity kohde epäsäännöllisellä muodolla.
7. Eritelmä: Räätälöity, tavoitepaino vähemmän tai yhtä suuri kuin 300 kg\/tietokone.
8. Pinta: kylmävalssattu pinta, kemiallinen puhdistettu pinta, kiillotettu pinta
9. Sovellus: Magnetronin sputteroiva päällyste
10. Standardi: ASTM B760, GB\/T 3875-83
11. Alkuperäpaikka: Luoyang, Kiina.
Esittely
Volframin sputterointitavoite on sputterointiprosessissa käytetty korkeapuhtausmateriaalit, fyysisen höyryn laskeutumismenetelmä (PVD), jota käytetään ohuiden kalvojen keräämiseen pintoihin. Volframi on metalli, joka tunnetaan korkeasta sulamispisteestään (noin 3422 astetta), kovuudesta ja erinomaisesta sähkönjohtavuudesta, mikä tekee siitä ihanteellisen materiaalin sputterointikohteille eri toimialoilla, kuten elektroniikka, optiikka ja puolijohteiden valmistus.
Piirteet
Erinomainen korkean lämpötilan vastus
Volframin sulamispiste on jopa 3422 astetta, mikä antaa sille erinomaisen korkean lämpötilan resistenssin. Lisäksi sputterointiprosessin aikana volframikohde kestää korkean energian ionien pommitukset, eikä sitä ole helposti muodonmuutos tai hajoa. Tämän ansiosta volframikohde voi toimia vakaasti korkean lämpötilan ja korkean energian ympäristöissä.
Korroosionkestävyys
Volframimateriaaleilla on hyvä hapettuminen ja korroosionkestävyys. Korkean lämpötilan tai kemiallisissa ympäristöissä volframin sputterointitavoite voi tehokkaasti vastustaa hapettumista, happoa ja alkalikorroosiota varmistaen, että kohde ylläpitää hyvää suorituskykyä useiden sputterointiprosessien aikana.
Laaja käyttötarkoiluvalikoima
Tuotteitamme käytetään laajasti puolijohteissa, optoelektroniikassa, magneettisissa materiaaleissa ja muissa kentissä. Puolijohdeteollisuudessa integroidun piirin metallointiprosessissa käytetään volframi -ohutkalvoja. Optisella kentällä volframi -ohutkalvoja käytetään heijastimien tai pinnoitusmateriaalien valmistukseen.
Tuotekemiallinen koostumus
|
Volframi kohde kemiallinen koostumus |
|||||||||||||||
|
W Sisältö (%) |
Epäpuhtaussisältö (ppm) |
||||||||||||||
|
Ti |
Naa |
C |
Ca |
Mg |
Si |
AL -AL |
Kun |
Fe |
Ni |
Pb |
P |
Cu |
/ |
/ |
|
|
Suurempi tai yhtä suuri kuin 99,95% |
Alle tai yhtä suuri kuin 10 ppm |
Vähemmän tai yhtä suuri kuin 5 ppm |
Alle tai yhtä suuri kuin 20 ppm |
Alle tai yhtä suuri kuin 10 ppm |
Vähemmän tai yhtä suuri kuin 7ppm |
Alle tai yhtä suuri kuin 10 ppm |
Vähemmän tai yhtä suuri kuin 5 ppm |
Alle tai yhtä suuri kuin 10 ppm |
Alle tai yhtä suuri kuin 10 ppm |
Vähemmän tai yhtä suuri kuin 6 ppm |
Vähemmän tai yhtä suuri kuin 1 ppm |
Vähemmän tai yhtä suuri kuin 8 ppm |
Vähemmän tai yhtä suuri kuin 5 ppm |
/ |
/ |
Tuotteen suorituskyvyn parametrit
|
Volframi ruiskuttaa kohteen suorituskykyparametreja |
|
|
Näytteen mitat |
12 mm × 80 mm × 100 mm |
|
Puhtaus |
Suurempi tai yhtä suuri kuin 99,95% (3N5) |
|
Kiderakenne |
Kehokeskeinen kuutio (BCC) |
|
Viljakoko |
43μm |
|
Tiheys |
19,25 g\/cm3 (hip) |
|
Sulamispiste |
3410 astetta (+ 20 aste) |
|
Kiehumispiste |
5900 aste |
|
Lämmönjohtavuus |
173 W/(m·K) |
|
Sähkönjohtavuus |
18.3×10-6 S/m |
|
Lämpölaajennuskerroin |
4.5×10-6/K-1 |
|
Kovuus |
Hv5: 280-310 |
|
Pintapinta |
RA ALLA tai yhtä suuri kuin 0. 4μm |
Tuotetuotantoprosessi
Suositut Tagit: Volframi ruiskutuskohde, Kiinan volframi ruiskuttaa kohdevalmistajia, toimittajia, tehdas
Seuraava
Volframin haihdutusveneSaatat myös pitää
Lähetä kysely